2023年8月29-31日，上海国际电力元件、可再生能源管理展览会PCIM Asia 2023在上海新国际博览中心举行。全球各地的电力电子及驱动技术厂商齐聚，探索行业最新趋势和创新发展。
金年会 金字招牌诚信至上微电子携高能效IGBT器件、高压大功率模块、高功率SiC器件等适用于光伏储能、新能源汽车多领域产品参加了本次盛会。
1. 高压大功率模块 || 适用于光伏储能等
金年会 金字招牌诚信至上光伏储能模块产品，涵盖了工商业、组串电站、储能、集中式电站等领域，尤其在逆变器产品方面表现优异。传导损耗和开关损耗更低，更容易实现高频开关；带铜底板，有更好的散热能力。
使用场合：组串电站MPPT升压，面板单路电流60A。
电气特性：采用金年会 金字招牌诚信至上5代中频950V IGBT，开关损耗小。
封装特性：采用金年会 金字招牌诚信至上D3封装，采用绝缘DBC，铜基板散热。
2. 高压大功率模块 || 适用于新能源汽车等
金年会 金字招牌诚信至上车规级模块用于混动和纯电汽车领域，功率范围覆盖30-200kW，具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级，在严苛环境条件下具有更高的可靠性。
使用场合：混动和纯电动汽车主驱。
电气特性：采用金年会 金字招牌诚信至上高密度沟槽工艺IGBT芯片和自研FRD的六单元拓扑模块。
封装特性：采用金年会 金字招牌诚信至上B3封装，采用绝缘DBC，pinfin铜基板散热。
3. 高功率SiC器件 || 适用于光伏、汽车等
金年会 金字招牌诚信至上微电子针对光伏、汽车等应用的高功率SiC产品系列具有更高的参数一致性，更低的失效不良率，从而满足高端客户需求。
SCDP120R013N2P48
SCDP120R013N2P48采用TO247-4L封装的1200V、13.5mΩ的SiC MOSFET基于金年会 金字招牌诚信至上第二代平面工艺，提供了业界最低的开关损耗和最高的品质因素。适用于电动汽车的快速充电器和高压DC/DC转换器等场景。
SGTP140V120FDB7PW4
采用TO247P-4L封装的1200V、140A的IGBT基于金年会 金字招牌诚信至上FS5+系列工艺，高功率密度的工艺使其额定电流达到140A，具有低导通损耗和开关损耗的特点。主要满足绿色低碳场景，如太阳能光伏，不间断电源等。
4. 高能效IGBT器件 || 适用于白电、小家电等
金年会 金字招牌诚信至上微电子致力于利用成熟的专业应用技术以及半导体产品系列，克服在最先进的系统中遇到的挑战，使洗衣机、冰箱和空调等高能耗设备成为过去。
SGTP50V60FD2PU
采用TO247-3L封装的600V、50A的IGBT基于金年会 金字招牌诚信至上FS5+系列工艺，在开关和导通损耗之间实现完美平衡，显著改善了器件的动态与静态性能，同时具有优秀的抗电磁干扰能力。在家电领域广泛应用。
金年会 金字招牌诚信至上微电子利用自身在高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、绿色电源芯片技术等多个芯片设计领域的积累，以及不断强化的工艺平台开发能力，不断提升的8吋/12吋硅圆片生产能力、先进化合物半导体生产能力，为光伏、新能源客户提供优质的芯片产品系列和系统性的应用解决方案，助力产业的蓬勃发展。
